سلول خورشیدی Topcon (که با نام اتصال خنثی‌شده نیز از آن یاد می‌شود)

ساختار سلول‌های خورشیدی n-PERT و n- Topcon به‌طور کامل مشابه هم است

برای ارتقای یک سلول خورشیدی n-PERT به یک سلول خورشیدی n- Topcon ، فقط به یک لایه اضافی بسیار نازک از SiO2 و آلایش یک لایه poly-Si نیاز است. (توضیح: دوپینگ یا آلایش (به انگلیسی: Doping) فرایندی در ساخت نیمه‌رساناهاست که در آن ناخالصی‌هایی برای تغییر در ویژگی‌های الکتریکی نیمه‌رساناها به آن‌ها افزوده می‌شود.)

لایه بسیار نازک SiO2 در نقش یک لایه خنثی‌کننده سطح میان لایه سیلیکونی پشتی و “اتصال” پشتی (لایه poly-Si) عمل می‌کند. علاوه‌براین، لازم است که این لایه به اندازه کافی نازک باشد تا جریان الکتریکی بتواند از طریق تونل شارش پیدا کند.

لایه poly-Si به میزان زیادی آلاییده می‌شود تا یک لایه با رسانایی بالا تشکیل دهد. این لایه با رسانایی بالای خود به‌عنوان یک اتصال برای عبور جریان الکتریکی عمل می‌کند. هم‌چنین، در فناوری Topcon نوع n، لایه poly-Si به‌طور معمول با فسفر آلاییده می‌شود تا یک میدان خنثی (میدان صفحه پشتی) ایجاد شود. این کار مشابه با آلاییدن صفحه پشتی در فناوری n-PERT با فسفر است که در شکل ۱ نشان داده شده است.

 

ساختار سلول خورشیدی n-Topcon (سمت راست) در مقایسه با سلول خورشیدی n-PERC (سمت چپ)

با افزودن لایه اکسید تونلی، محققان بخش سیستم‌های انرژی خورشیدی انستیتو فرانهوفر ، افزایش ~۱% در بازده خالص سلول خورشیدی را گزارش کرده‌اند.